岗位描述
一、器件设计与协同开发 1. 负责工艺平台上的器件结构设计，特别是BCD工艺中针对高压LDMOS、BJT、JFET、Zener二极管及精密无源器件（Poly电阻、MIM电容）等。利用TCAD（如Sentaurus）进行器件物理仿真，优化掺杂分布、阱结构及隔离结构（如DTI/STI），以满足产品目标需要器件性能 2.深度参与新工艺开发，评估并验证所开发器件结构，确保器件设计方案在既定工艺窗口内具备高可靠性、可制造性和高良率潜力 二、器件特性测试与表征 1.制定并执行全面的器件测试方案（DC/AC/SOA），主导对器件的电学特性、热特性、低频噪声（1/f噪声）及mismatch性能的深入研究与分析 2. 基于测试数据和统计分析，构建与优化器件性能与TCAD仿真之间的关联模型，反馈并迭代优化器件设计，拓宽工艺窗口。 3.编写详细的器件测试报告与性能分析报告，为内部工艺整合和外部客户应用提供数据支撑 三、前瞻性可靠性评估与预测 1. 负责器件的前瞻性可靠性评估，重点研究HCI（热载流子注入）、NBTI（负偏压温度不稳定性）、TDDB（经时击穿）等可靠性机理。针对BCD工艺中特有的高压器件进行可靠性预测、评价、改进，确保器件可靠性满足要求 2.结合工艺与设计规则，制定并优化器件的可靠性设计窗口 四、技术洞察与知识传递 1.建立并维护完善的器件特性技术文档体系，包括器件电特性设计规则、器件使用注意事项等，确保产品设计端用好器件 2.在团队内部开展技术分享与培训，促进跨部门（设计、工艺、测试）的高效协作 任职条件 一、基本要求 硕士及以上学历，半导体物理、微电子学、物理、电子工程等相关专业 二、专业技能 1.熟悉半导体物理/器件物理 2.掌握半导体器件设计工具与仿真工具 3.熟悉半导体制造技术 --- {"joinUsHref":"\/company\/650","corp_year":"2026","staticUrl":"\/\/cdn.moseeker.com\/athena","graphicAuthAppId":"aaa784dd14cbe2ada7ce75c288129d95","uploadUrl":"\/","jdListUrl":"\/","editProfileUrl":"\/profile\/edit","accountSettingUrl":"\/accounts\/settings","logoutUrl":"\/accounts\/logout","loginUrl":"\/accounts\/login?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3480911","registerUrl":"\/accounts\/register?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3480911","modules":{"login":{"bindAction":"no","urls":{"getWeiXinQRImage":"\/wechat\/getqrcode","getWeiXinQRBindStatus":"\/wechat\/getbindcodestatus?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3480911","getWeiXinRegisterQRImage":"\/wechat\/getregisterqrcode","getWeiXinRegisterQRStatus":"\/wechat\/getregisterqrcodestatus?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3480911","verifyCodeUrl":"\/accounts\/dosendsignupcode\/uid","bindPhoneUrl":"\/accounts\/dowxbindmobile\/uid","registerUrl":"\/accounts\/register?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3480911","forgotpasswordUrl":"\/accounts\/forgetpassword?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3480911","mobileLoginUrl":"\/accounts\/commonlogin","weixinLoginUrl":"https:\/\/open.weixin.qq.com\/connect\/qrconnect?appid=wx5dc1a7ad6214ad74&redirect_uri=https%3A%2F%2Fwww.moseeker.com%2Faccounts%2Fcallback%2Ftype%2Fweixin%3Freflink%3DGsNpt-WY1dxbyLHSFj3g0oX21yQaLstsxBRHdCITIX4Eio837SzTPv4h8w2ouPlXcDub4zAxM4EDsrtuUmHirw&response_type=code&scope=snsapi_login&style=white&href=https%3A%2F%2Fcdn.moseeker.com%2Foms%2Fothers%2F1755582173843-old.css","fetchNationalCodeList":"\/dictionary\/getsmscountrycodes"}},"remind":{"followWeixin":false}},"isLogin":false,"account":{"username":"","logo":null,"userId":null}} 登录 注册 EN 纳芯微电子 · 研发类 【2027届校招】器件开发工程师(J11379) 薪资面议 / 上海 2026-08-24 更新 该职位HR要求填写 特殊信息 请用微信扫码后投递 立即投递» 请扫描公众号二维码进行人才推荐 多重好礼等你来~ 我要推荐 举报职位 举报职位 纳芯微电子 · 研发类 【2027届校招】器件开发工程师(J11379) 薪资面议 / 上海 该职位HR要求填写 特殊信息 请用微信扫码后投递 立即投递» 公司简介 纳芯微电子 查看公司介绍 所有在招职位 所属团队 研发类 98个职位在招 职位描述 一、器件设计与协同开发 1. 负责工艺平台上的器件结构设计，特别是BCD工艺中针对高压LDMOS、BJT、JFET、Zener二极管及精密无源器件（Poly电阻、MIM电容）等。利用TCAD（如Sentaurus）进行器件物理仿真，优化掺杂分布、阱结构及隔离结构（如DTI/STI），以满足产品目标需要器件性能 2.深度参与新工艺开发，评估并验证所开发器件结构，确保器件设计方案在既定工艺窗口内具备高可靠性、可制造性和高良率潜力 二、器件特性测试与表征 1.制定并执行全面的器件测试方案（DC/AC/SOA），主导对器件的电学特性、热特性、低频噪声（1/f噪声）及mismatch性能的深入研究与分析 2. 基于测试数据和统计分析，构建与优化器件性能与TCAD仿真之间的关联模型，反馈并迭代优化器件设计，拓宽工艺窗口。 3.编写详细的器件测试报告与性能分析报告，为内部工艺整合和外部客户应用提供数据支撑 三、前瞻性可靠性评估与预测 1. 负责器件的前瞻性可靠性评估，重点研究HCI（热载流子注入）、NBTI（负偏压温度不稳定性）、TDDB（经时击穿）等可靠性机理。针对BCD工艺中特有的高压器件进行可靠性预测、评价、改进，确保器件可靠性满足要求 2.结合工艺与设计规则，制定并优化器件的可靠性设计窗口 四、技术洞察与知识传递 1.建立并维护完善的器件特性技术文档体系，包括器件电特性设计规则、器件使用注意事项等，确保产品设计端用好器件 2.在团队内部开展技术分享与培训，促进跨部门（设计、工艺、测试）的高效协作 任职条件 一、基本要求 硕士及以上学历，半导体物理、微电子学、物理、电子工程等相关专业 二、专业技能 1.熟悉半导体物理/器件物理 2.掌握半导体器件设计工具与仿真工具 3.熟悉半导体制造技术 职位属性 招聘类型：校招 工作性质：全职 岗位类型：办公室职位 公司福利 弹性工作不打卡 六险一金 年底双薪 绩效奖金 项目专利奖 股票期权激励 带薪年假10天 带薪病假12天 下午茶 节日礼金 年度旅游 年度体检 展开查看详情 仟寻个人信息保护政策 仟寻个人用户协议 © 2025 MoSeeker. 沪ICP证B2-20170397号 · 沪ICP备14040959号-1 · 首家通过ISO/IEC 27001:2013认证的微信招聘平台 · 诚信网站示范企业