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博士后(三维堆叠器件源漏接触工艺方向)(J14814)

长江存储 · 武汉 · 薪资面议 · 更新于 2026/10/18

任职要求

经验:应届毕业生学历:博士研究生

岗位描述

1. 开展高深宽比重掺Si外延动力学机制研究:研究高深宽比沟槽内不同深度下重掺Si横向外延的厚度和掺杂浓度分布,实现厚度和掺杂三维分布的建模预测; 2. 开展低温金属硅化物动力学研究:研究金属硅化物/硅界面的元素扩散行为及其对相变和生长的影响; 3. 开展结构验证实验:搭建纳米尺度高深宽比深沟槽横向填充结构,完成结构验证实验; 4. 撰写高水平学术论文(发表于Nature/Science子刊、IEEE顶刊等)、申请发明专利,按年度提交课题进展报告。 1. 凝聚态物理、半导体物理、微电子或材料科学等相关专业; 2. 在半导体集成电路等相关领域,以第一作者身份发表过高水准学术期刊论文(如Nature/Science子刊、ACS Nano、IEEE Transactions on Electron Devices等)或顶级会议论文(如VLSI、IEDM等)至少1篇; 3. 具有外延生长、原位掺杂、金属硅化物等相关工艺经验者优先; 4. 具有强烈的科研兴趣和创新精神,治学严谨,具备良好的团队协作与沟通表达能力。 职位类别: 校园招聘

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