岗位描述
1. GaAs/InSb/InAs等类型Hall敏感源结构设计与版图：承担霍尔器件/多端结构器件结构设计、版图实现与设计规范输出。 2. GaAs/InSb/InAs等类型Hall关键指标优化：主导磁场感度、失调电压、温度稳定性等核心指标 debug 与可靠性建模。 3. 代工厂工艺对接：主导三安等 III-V 代工厂工艺 split、MPW 流片与良率提升，建立与代工厂的协同机制，优化工艺提升器件性能。 4. 器件-电路协同建模：与电路设计团队构建 GaAs Hall 器件-电路协同模型，支撑 GaAs + 高集成度 ASIC 方案 demo。 5. 硅基 Hall 工艺优化与新结构预研：参与BCD平台平面霍尔器件优化。 6. 跨职能协同与知识沉淀：与封装、测试、应用协同；输出设计规范、可靠性数据与竞品分析。 任职条件 【 】 1. 学历要求：硕士及以上 2. 专业要求：半导体器件 / (化合物)半导体材料/微电子 / 物理 / 电子工程 【专业知识要求】 1. 化合物半导体材料物理，磊晶工艺能力与材料设计能力 2. 器件结构设计与工艺建模 3. 半导体工艺流程（光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、合金化） --- {"joinUsHref":"\/company\/650","corp_year":"2026","staticUrl":"\/\/cdn.moseeker.com\/athena","graphicAuthAppId":"aaa784dd14cbe2ada7ce75c288129d95","uploadUrl":"\/","jdListUrl":"\/","editProfileUrl":"\/profile\/edit","accountSettingUrl":"\/accounts\/settings","logoutUrl":"\/accounts\/logout","loginUrl":"\/accounts\/login?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3498447","registerUrl":"\/accounts\/register?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3498447","modules":{"login":{"bindAction":"no","urls":{"getWeiXinQRImage":"\/wechat\/getqrcode","getWeiXinQRBindStatus":"\/wechat\/getbindcodestatus?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3498447","getWeiXinRegisterQRImage":"\/wechat\/getregisterqrcode","getWeiXinRegisterQRStatus":"\/wechat\/getregisterqrcodestatus?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3498447","verifyCodeUrl":"\/accounts\/dosendsignupcode\/uid","bindPhoneUrl":"\/accounts\/dowxbindmobile\/uid","registerUrl":"\/accounts\/register?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3498447","forgotpasswordUrl":"\/accounts\/forgetpassword?fromUrl=%2Fposition%2Findex%2Fpid%2F3498447","mobileLoginUrl":"\/accounts\/commonlogin","weixinLoginUrl":"https:\/\/open.weixin.qq.com\/connect\/qrconnect?appid=wx5dc1a7ad6214ad74&redirect_uri=https%3A%2F%2Fwww.moseeker.com%2Faccounts%2Fcallback%2Ftype%2Fweixin%3Freflink%3DGsNpt-WY1dxbyLHSFj3g0oX21yQaLstsxBRHdCITIX4j8SldY1W_gOB8sRwd43QjlWZ3QXBaE7UhawV05ArafQ&response_type=code&scope=snsapi_login&style=white&href=https%3A%2F%2Fcdn.moseeker.com%2Foms%2Fothers%2F1755582173843-old.css","fetchNationalCodeList":"\/dictionary\/getsmscountrycodes"}},"remind":{"followWeixin":false}},"isLogin":false,"account":{"username":"","logo":null,"userId":null}} 登录 注册 EN 纳芯微电子 【2027届校招】传感器设计工程师（化合物半导体）(J11583) 薪资面议 / 上海 2026-10-14 更新 该职位HR要求填写 特殊信息 请用微信扫码后投递 立即投递» 请扫描公众号二维码进行人才推荐 多重好礼等你来~ 我要推荐 举报职位 举报职位 纳芯微电子 【2027届校招】传感器设计工程师（化合物半导体）(J11583) 薪资面议 / 上海 该职位HR要求填写 特殊信息 请用微信扫码后投递 立即投递» 公司简介 纳芯微电子 查看公司介绍 所有在招职位 职位描述 1. GaAs/InSb/InAs等类型Hall敏感源结构设计与版图：承担霍尔器件/多端结构器件结构设计、版图实现与设计规范输出。 2. GaAs/InSb/InAs等类型Hall关键指标优化：主导磁场感度、失调电压、温度稳定性等核心指标 debug 与可靠性建模。 3. 代工厂工艺对接：主导三安等 III-V 代工厂工艺 split、MPW 流片与良率提升，建立与代工厂的协同机制，优化工艺提升器件性能。 4. 器件-电路协同建模：与电路设计团队构建 GaAs Hall 器件-电路协同模型，支撑 GaAs + 高集成度 ASIC 方案 demo。 5. 硅基 Hall 工艺优化与新结构预研：参与BCD平台平面霍尔器件优化。 6. 跨职能协同与知识沉淀：与封装、测试、应用协同；输出设计规范、可靠性数据与竞品分析。 任职条件 【任职资格】 1. 学历要求：硕士及以上 2. 专业要求：半导体器件 / (化合物)半导体材料/微电子 / 物理 / 电子工程 【专业知识要求】 1. 化合物半导体材料物理，磊晶工艺能力与材料设计能力 2. 器件结构设计与工艺建模 3. 半导体工艺流程（光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、合金化） 职位属性 招聘类型：校招 工作性质：全职 岗位类型：办公室职位 职位要求 学历要求：硕士 公司福利 弹性工作不打卡 六险一金 年底双薪 绩效奖金 项目专利奖 股票期权激励 带薪年假10天 带薪病假12天 下午茶 节日礼金 年度旅游 年度体检 展开查看详情 仟寻个人信息保护政策 仟寻个人用户协议 © 2025 MoSeeker. 沪ICP证B2-20170397号 · 沪ICP备14040959号-1 · 首家通过ISO/IEC 27001:2013认证的微信招聘平台 · 诚信网站示范企业